未来可期 长江存储或导入128层3D NAND 踏客旅游网 - 精选 - 金网新闻网

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          未来可期 长江存储或导入128层3D NAND

          2019-09-16 15:06:48 IT中国 ITCN 分享

          长江存储宣布将在今年8月正式推出Xtacking™ 2.0技术,合肥长鑫DRAM亦进展顺利,长江存储和合肥长鑫分别在3D NAND和DRAM上寻求突破, 不仅能快速应对全球数据量增长对存储器的挑战,更体现了中国在存储领域的迅猛发展。

          长江存储计划在年底量产64层3D NAND,同时将导入Xtacking™架构应用,并规划在2020年跳过96层3D NAND技术进入128层3D NAND阶段。根据推算,长江存储Xtacking™ 1.0导入到64层3D NAND,很可能到128层3D NAND会导入Xtacking™ 2.0,这将大幅度缩短与国际大厂在技术上的差距。

          合肥长鑫项目专注于DRAM的研发、生产与销售,而最初技术来源是奇梦达,之后通过与国际大厂合作,持续投入研发超过25亿美元,并不断完善自身研发技术,目前已累积有1万6千个专利申请,已持续投入晶圆量超过15000片,之前规划是2019年底实现2万片/月产能,加速中国存储芯片国产化目标实现的进程。

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